高真空脈沖激光濺射薄膜沉積系統--PLD450

真空室結構:球形前開門

真空室尺寸:450mm

極限真空度:≤6.67E-6Pa

沉積源:2英寸靶材，4個

樣品尺寸，溫度:2英寸，1片，最高800℃C

占地面積(長x寬x高):約1.8米x0.97米x1.9米

電控描述:全自動

工藝:

特色參數:

產品概述：
系統主要由真空室、旋轉靶臺、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。
設備用途：
脈沖激光沉積(Pulsed Laser DeposiTION，簡稱PLD)是新近發展起來的一項技術，繼20世紀80年代末成功地制備出高臨界溫度的超導薄膜之后，它的優點和潛力逐漸被人們認識和重視。該項技術在生成復雜的化合物薄膜方面得到了非常好的結果。與常規的沉積技術相比，脈沖激光沉積的過程被認為是“化學計量"的過程，因為它是將靶的成分轉換成沉積薄膜，非常適合于沉積氧化物之類的復雜結構材料。當前脈沖激光制備技術在難熔材料及多組分材料(如化合物半導體、電子陶瓷、超導材料)的精密薄膜，顯示出了誘人的應用前景。